[전자회로 실험] 직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험
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작성일 19-12-29 23:55
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Download : 실험3직렬및병렬다이오드회로.doc
[이용대상]
e.그림 3-4의 Si다이오드의 방향을 반대로하고 VD, VO, ID의 理論(이론)치를 계산하라.
[전자회로 실험] 직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험
a.아래 그림의 회로를 구성하라. R값을 측정하여 기록하라.
a.단계 1의 결과와 측정된 저항을 이용하여 Vo와 ID의 理論(이론)치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
다.순서
2)직렬구성
cad 회로도 캡쳐되어 있기 때문에 바로 출력해서 내도 손색이 없습니다. cad 회로도 캡쳐되어 있기 때문에 바로 출력해서 내도 손색이 없습니다. [이용대상]
b.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정하라. 측정된 값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 b의 결과와 비교하라.
d.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정하라. 측정치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 e의 결과와 비교하라.
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설명
d.단계 1의 결과와 R1과 R2에 대한 측정된 저항값을 이용하여 Vo와 ID의 理論(이론)치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
Download : 실험3직렬및병렬다이오드회로.doc( 29 )
c.다음 그림의 회로를 구성하라. 각 저항에 대한 측정치를 기록하라.
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2. 實驗(실험) 절차
1)문턱 전압 Si, Ge 다이오드에 마주향하여 DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사 능력을 이용하여 문턱전압을 측정하라. 實驗(실험)에서 구한 “문턱전압”은 다이오드에 대해 등가의 特性을 세울 수 있다아 각 다이오드에 대한 구해진 의 값을 기록하라. 만약 다이오드 검사능력 혹은 곡선 추적기가 이용될 수 없다면 Si에 마주향하여 =0.7V, Ge에 마주향하여 =0.3V으로 가정하라.
f.순서 g의 상태에서 VD, VO를 측정하라. 측정치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라.
사전지식부터 分析(분석), 또한 실험결과까지 잘 요점되어 있는 레포트 입니다.
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