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[工學(공학) ] 전자회로 설계 및 實驗 - 다이오드 property(특성)

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작성일 20-07-17 00:40

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Download : [공학] 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성.hwp

다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.

test(실험) 순서

1.다이오드 검사

다이오드 검사 단자

그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정(測定) 한다.[工學(공학) ] 전자회로 설계 및 實驗 - 다이오드 property(특성)
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순서
실험결과/기타

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설명

전자회로 설계 및 test(실험) - 다이오드 特性

test(실험) 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 特性곡선을 계산하고, 비교하고, 측정(測定) 한다.

2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가

2.순방향 바이어스의 다이오드 特性곡선

a. 전원 E를 0으로 놓고 다음 회로를 결선하라. 저항값을 측정(測定) 하고 기록하라.
Rmeas 〓 0.99KΩ

b. VR(E가 아님)이 0.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라. VD를 측정(測定) 하고 그 값을 표에 기입하라. 대응식에 해당하는 전류 ID값을 계산하라.

VR(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VD(V)
0.499
0.525
0.543
0.556
0.567
0.575
0.583
0.589
0.595
ID〓 VR/Rmeas (mA)
0.101
0.202
0.303
0.404
0.505
0.606
0.707
0.808
0.909
VR(V)
1
2
3
4
5
6
7
…(skip)
[工學(공학) ] 전자회로 설계 및 實驗 - 다이오드 property(특성)
다.

1) Si 다이오드와 Ge 다이오드에 마주향하여 검사를 수행하라.
검사
Si
순방향
1.1 V
역방향
OL
2) 결과로 보아 두 다이오드는 양호한 상태인가

저항단자

VOM 이나 DMM의 적절한 스케일을 사용하여 Si와 Ge 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스 역영의 저항값을 결정하고, 그 결과를 기입하라.

검사
Si
순방향

역방향

양호한 다이오드는 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내고, 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다.

실제 test(실험) 은 si 다이오드만 이용하여 측정(測定) 하였다.
역방향 연결시는 개방회로를 나타내는 OL 응답이 나타난다.

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