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[工學(공학) ,기술] 반도체공정 test(실험) - Cleaning & Oxidation

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작성일 21-08-18 18:12

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5) Wet oxidation
- Vertical Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.
Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행…(省略)

실험결과/기타

다.
4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
- 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정(測定) 한 후 BOE cleaning전에 측정(測定) 한 각도와
비교한다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다.

2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 Ωcm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours

나. 실험 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 變化에 어떤 effect을 주는지 확인하여본다.

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실험 1 : Cleaning & Oxidation

1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 이 때 세정되는 표면의 特性(특성)이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에
따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다. 실험 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.

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