하이닉스 D램 전용팹서 낸드 생산
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작성일 23-02-08 20:31
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하이닉스는 그러나 급속한 경영environment 악화에도 18%의 영업이익률을 기록해 12%에 머문 삼성전자는 물론이고 마이크론(-2%), 키몬다(6%), 엘피다(10%)를 능가하며 선전했다. 작년 동기와 비교할 때 매출은 69%, 영업이익은 24%, 순이익은 46% 늘어났지만 지난해 4분기에 비해서는 매출이 6%, 영업이익이 48%, 순이익이 58.7% 감소했다.
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기formula(공식)을 가진 청주공장에는 2년 4개월 동안 공공시설 및 장비를 포함해 약 3조8000억원이 투입된다된다.
하이닉스 D램 전용팹서 낸드 생산
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하이닉스 D램 전용팹서 낸드 생산
하이닉스반도체가 D램 전용 300㎜ 팹인 이천 M10라인에서 낸드플래시도 생산한다. 본지 4월 16일자 26면 참조
다. 하이닉스반도체는 2분기부터 M10라인에서 60나노 미세공정을 적용한 최첨단 대용량 낸드플래시 생산에 들어가 하반기에는 57나노 미세공정을 적용한 제품의 생산도 처음 할 계획인 것으로 알려졌다.
권오철 하이닉스반도체 전무는 26일 기업說明(설명) 회(IR)에서 “하이닉스는 D램 캐파를 시장 여건에 따라서 낸드로 환원할 수 있다”며 “D램 전용으로 운영된 300㎜라인 M10 생산능력의 약 40%를 올해 말까지 순차적으로 낸드플래시로 전환한다는 계획 아래 2분기부터 낸드 생산에 들어갈 것”이라고 밝혔다. M11 공장은 하이닉스반도체의 청주 사업장 인근에 위치하게 되며, 대지면적 10만8687㎡(3만3000평)에 건축면적 5만5805㎡(1만7000평)로 부대시설을 포함해 연면적 31만2095㎡(9만4000평) 규모로 건설된다된다. 이 공장은 내년 3분기부터 40㎚(나노미터)급 초미세 공정으로 16기가비트(Gb) 및 32Gb 등 대용량 플래시메모리를 본격 양산할 계획이다 하이닉스는 내년 4월까지 M11 공장 건설을 완료, 시험생산을 거쳐 3분기부터 300㎜ 웨이퍼로 최근 수요처가 급속히 확대되고 있는 낸드플래시 제품을 주력으로 생산할 계획이다. 하이닉스는 연말까지 M10 팹 생산능력의 40%까지 낸드플래시로 전환, D램과 낸드플래시 생산물량을 조절하는 ‘버퍼팹’으로 활용한다는 계획이다.
하이닉스는 또 26일 충북 청주시 청주공장에서 낸드플래시 생산을 주력으로 하는 300㎜ 팹(M11) 공장 기formula(공식)도 가졌다. 이는 D램 가격은 하락세가 지속되고 있는 반면에 낸드플래시 가격은 1분기를 저점으로 연말까지 회복세가 이어질 것이라는 판단에 따른 것으로 풀이된다된다.
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하이닉스 D램 전용팹서 낸드 생산
하이닉스 D램 전용팹서 낸드 생산
심규호기자@전자신문, khsim@
하이닉스반도체는 이날 지난 1분기 해외법인 포함 기준으로 매출 2조4500억원, 영업이익 4460억원, 순이익 4290억원의 실적을 올렸다고 밝혔다.
